2N6036 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-32-3, TO-126-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2N6039	STMicroelectronics	TRANS DARL NPN 80V 4A SOT-32 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-32-3, TO-126-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2N6036 — TRANS DARL PNP 80V 4A SOT-32

Схожие по характеристикам