2N6287 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V · Мощность макcимальная: 160W · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2N6284	STMicroelectronics	TRANS DARL NPN 100V 20A TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V · Мощность макcимальная: 160W · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: TO-204, TO-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2N6287 — TRANS DARL PNP 100V 20A TO-3

Схожие по характеристикам