 | 2N6515RLRM | ON Semiconductor | TRANSISTOR GP NPN 250V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | | Доп. информация
Искать в поставщиках |
| 2N6515RLRMG | ON Semiconductor | TRANSISTOR GP NPN 250V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | | Доп. информация
Искать в поставщиках |
