2PB709ASL,215 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2PB709ASL,235	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2PB709AS,115	NXP Semiconductors	TRANSISTOR PNP 45V 100MA SC59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2PB709ASL,215 — TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT-23

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам