Войти Регистрация

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SA1015-Y(TE2,F,T) — TRANS PNP 50V 150MA TO-92

Производитель	Toshiba
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	50V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Ток коллектора (макс)	150mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 6V
Мощность макcимальная	400мВт
Модуляция частот	80MHz
Тип транзистора	PNP
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-92-3 (Long Body), TO-226

Аналогичные по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SA1015-Y(F,T)	Toshiba	TRANS PNP 50V 150MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SA1015-O(TE2,F,T)	Toshiba	TRANS PNP 50V 150MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SA1015-GR(TE2,F,T)	Toshiba	TRANS PNP 50V 150MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SA1015-O(F,T)	Toshiba	TRANS PNP 50V 150MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SA1015-GR(F,T)	Toshiba	TRANS PNP 50V 150MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте