2SA1020 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 900мВт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SA1020G	ON Semiconductor	TRANSISTOR SS PNP 50V 2A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 900мВт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SA1020RLRAG	ON Semiconductor	TRANSISTOR SS PNP 50V 2A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 900мВт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SA1020 — TRANSISTOR SS PNP 50V 2A TO-92

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам