2SA1162-GR(T5L,F,T) | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-mini

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SA1162-Y(T5L,F,T)	Toshiba	TRANS PNP 50V 150MA S-MINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-mini	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SA1162-GR(T5L,F,T) — TRANS PNP 50V 150MA S-MINI

Схожие по характеристикам