Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

2SA1972(TE6,F,M) — TRANSISTOR PNP 400V 0.5A LSTM

Производитель	Toshiba
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	400В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	1V @ 10mA, 100mA
Ток коллектора (макс)	500mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	140 @ 20mA, 5V
Мощность макcимальная	900мВт
Модуляция частот	35MHz
Тип транзистора	PNP
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-92-3 (Long Body), TO-226