2SA207700L | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini3-G1 (SC-59)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini3-G1 (SC-59)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini3-G1 (SC-59)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SB0709AQL	Panasonic - SSG	TRANS PNP GP AMP 45VCEO MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini3-G1 (SC-59)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SB0709A0L	Panasonic - SSG	TRANS PNP GP AMP 45VCEO MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini3-G1 (SC-59)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SB0709ASL	Panasonic - SSG	TRANS PNP GP AMP 45VCEO MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini3-G1 (SC-59)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SB0709ARL	Panasonic - SSG	TRANS PNP GP AMP 45VCEO MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini3-G1 (SC-59)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SA207700L — TRANS PNP 45VCEO 100MA MINI-3P

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам