Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 

2SB06430R — TRANS PNP 25VCEO .5A M TYPE

ПроизводительPanasonic - SSG
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)25V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic600mV @ 30mA, 300mA
Ток коллектора (макс)500mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)1µA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 10mA, 10V
Мощность макcимальная600mW
Модуляция частот200MHz
Тип транзистораPNP
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусM-Type
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SD06380RPanasonic - SSGTRANS NPN 25VCEO .5A M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
2SB06430QPanasonic - SSGTRANS PNP 25VCEO .5A M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «2SB06430R» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте