2SB07660RL | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SB0766ARL	Panasonic - SSG	TRANS PNP LF 50VCEO 1A MINI-PWR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD08740RL	Panasonic - SSG	TRANS NPN 25VCEO 1A MINI-PWR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SB07660RL — TRANS PNP 25VCEO 1A MINI-PWR

Схожие по характеристикам