2SB1181TLR | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 10Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SB1181TLQ	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-428 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 10Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SB1181TLP	Rohm Semiconductor	TRANS DVR PNP 80V 1A SOT-428 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 10Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SB1181TLR — TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-428

Схожие по характеристикам