2SB1182TLQ | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 10Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SB1182TLR	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR PNP 32V 2A SOT-428 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 10Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD1758TLQ	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 32V 2A SOT-428 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 10Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SB1182TLQ — TRANSISTOR PNP 32V 2A SOT-428

Схожие по характеристикам