2SB1219GSL | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SB1219ASL	Panasonic - SSG	TRANS PNP GP AMP 50VCEO SMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SB12190RL	Panasonic - SSG	TRANS PNP GP AMP 50VCEO SMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SB1219GSL — TRANS PNP 50VCEO 500MA SMINI-3

Схожие по характеристикам