Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 

2SB14630RL — TRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI 3P

ПроизводительPanasonic - SSG
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)150V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic1V @ 3mA, 30mA
Ток коллектора (макс)50mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce130 @ 10mA, 5V
Мощность макcимальная125mW
Модуляция частот200MHz
Тип транзистораPNP
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSS Mini3-G1 (SC 75)
Встречается под наим.2SB14630RLTR
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SB14630SLPanasonic - SSGTRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 185 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini3-G1 (SC 75)
Доп. информация
Искать в поставщиках
2SB1463JRL2SB1463JRLPanasonic - SSGTRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini3-F1 (SC 89)
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «2SB14630RL» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте