2SC1815GRTE2FT | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92.3, SC-43

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SC1815YTE2FT	Toshiba	TRANSISTOR NPN 150MA 50V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92.3, SC-43	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SC1815GRTE2FT — TRANSISTOR NPN 150MA 50V TO-92

Схожие по характеристикам