2SC22060C | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 30mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M-Type

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SC22060B	Panasonic - SSG	TRANS NPN 20VCEO 30MA M TYPE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 30mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M-Type		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SC22060C — TRANS NPN 20VCEO 30MA M TYPE

Схожие по характеристикам