2SC2235-O(TE6,F,M) | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 900мВт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 900мВт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	KSC2316OBU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 900мВт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	KSC2316OTA	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 900мВт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	2SC2235-Y(F)	Toshiba	TRANSISTOR NPN 120V 0.8A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 900мВт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SC2235-O(TE6,F,M) — TRANSISTOR NPN 120V 0.8A TO-92

Схожие по характеристикам