2SC2236-Y(TE6,F,M) | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 900мВт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SC2236-O(TE6,F,M)	Toshiba	TRANSISTOR NPN 30V 1.5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 900мВт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SC2236-Y(TE6,F,M) — TRANSISTOR NPN 30V 1.5A TO-92

Схожие по характеристикам