2SC2705-Y(TE6,F,M) | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 800мВт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SC2705-O(TPE6,F)	Toshiba	TRANS NPN 150V 50MA TO-92MOD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 800мВт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SC2705-O(TE6,F,M)	Toshiba	TRANS NPN 150V 50MA TO-92MOD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 800мВт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SC2705-Y(TE6,F,M) — TRANSISTOR NPN 150V 50MA TO-92

Схожие по характеристикам