2SC2883-Y(TE12L,CF | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	KSC2883YTF	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 1.5A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SA1203-Y(TE12L,CF	Toshiba	TRANSISTOR PNP 30V 1.5A SC-62 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SC2883-Y(TE12L,CF — TRANSISTOR NPN 30V 1.5A SC-62

Схожие по характеристикам