Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель	Toshiba
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	140V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	2V @ 700mA, 7A
Ток коллектора (макс)	10A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 1A, 5V
Мощность макcимальная	80Вт
Модуляция частот	30MHz
Тип транзистора	NPN
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SC5198-O(Q,T)	Toshiba	TRANSISTOR NPN 140V 10A TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A · Ток коллектора (макс): 10A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 100Вт · Модуляция частот: 30MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов