Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 

2SD0662BR — TRANS NPN 400VCEO 70MA M TYPE

ПроизводительPanasonic - SSG
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)400В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic1.2V @ 5mA, 50mA
Ток коллектора (макс)70mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)2µA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 10V
Мощность макcимальная600mW
Модуляция частот50MHz
Тип транзистораNPN
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусM-Type
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SD06620RPanasonic - SSGTRANS NPN 200VCEO 70MA M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 70mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
2SD0662BQPanasonic - SSGTRANS NPN 400VCEO 70MA M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 70mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «2SD0662BR» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте