2SD0874A0L | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SD0874GRL	Panasonic - SSG	TRANS NPN 50VCEO 1A MINI-PWR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD0973AQ	Panasonic - SSG	TRANS NPN 50VCEO 1A M TYPE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M-Type		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SD0874A0L — TRANS NPN LF 50VCEO 1A MINI-PWR

Схожие по характеристикам