2SD11980R | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M-Type

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SD1198AR	Panasonic - SSG	TRANS NPN 50VCEO 1A M TYPE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M-Type		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SD11980R — TRANS NPN 25VCEO 1A M TYPE

Схожие по характеристикам