Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
2SD13020RA

- Дополнительное фото
- Габаритный чертеж

2SD13020RA — TRANS NPN 20VCEO 500MA TO-92

ПроизводительPanasonic - SSG
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)20В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic400mV @ 20mA, 500mA
Ток коллектора (макс)500mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 500mA, 2V
Мощность макcимальная600mW
Модуляция частот200MHz
Тип транзистораNPN
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-92
Встречается под наим.2SD13020RATB
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SD19960RA2SD19960RAPanasonic - SSGTRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: MT-1
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
2SD1996-(TA)Panasonic - SSGTRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: MT-1
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «2SD13020RA» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте