2SD1757KT146Q | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 8MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SD1757KT146R	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 15V 0.5A SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 8MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD1757KT146S	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 15V 0.5A SOT-346 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 8MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SD1757KT146Q — TRANS NPN 15V 0.5A SOT-346

Схожие по характеристикам