2SD1760TLP | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5A, 3V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 90MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SD1760TLQ	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 50V 3A SOT-428 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5A, 3V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 90MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD1760TLR	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 50V 3A SOT-428 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 5A, 3V · Мощность макcимальная: 15Вт · Модуляция частот: 90MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SD1760TLP — TRANS DVR NPN 50V 3A SOT-428 TR

Схожие по характеристикам