Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель	Rohm Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	32V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 50mA, 500mA
Ток коллектора (макс)	1A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	180 @ 100mA, 3V
Мощность макcимальная	1Вт
Модуляция частот	150MHz
Тип транзистора	NPN
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	ATV

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SD1858TV2P	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR DVR NPN 32V 1A ATV TB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ATV	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD1858TV2Q	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR DVR NPN 32V 1A ATV TB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ATV	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов