 - Габаритный чертеж |
2SD19960TA — TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1
| ||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | 2SD19960SA | Panasonic - SSG | TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: MT-1 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 2SD19960RA | Panasonic - SSG | TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: MT-1 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| 2SD1996-(TA) | Panasonic - SSG | TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: MT-1 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
