Войти Регистрация

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SD1996-(TA) — TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1

Производитель	Panasonic - SSG

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	20В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 20mA, 500mA
Ток коллектора (макс)	500mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 500mA, 2V
Мощность макcимальная	600mW
Модуляция частот	200MHz
Тип транзистора	NPN
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	MT-1
Встречается под наим.	2SD1996CT

Аналогичные по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SD19960RA	Panasonic - SSG	TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: MT-1	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SD13020RA	Panasonic - SSG	TRANS NPN 20VCEO 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD19960TA	Panasonic - SSG	TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: MT-1	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD19960SA	Panasonic - SSG	TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: MT-1	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте