2SD2211T100R | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SC4132T100R	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 120V 1.5A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD2211T100Q	Rohm Semiconductor	TRANS DVR NPN 160V 1.5A SOT89 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SD2211T100R — TRANS DVR NPN 160V 1.5A SOT89 TR

Схожие по характеристикам