2SD2212T100 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SD2170T100	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 90V 2A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD2195T100	Rohm Semiconductor	TRANS DARL NPN 100V 2A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SD2212T100 — TRANS DARL NPN 60V 2A SOT-89

Схожие по характеристикам