2SD2351T106V | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SD2351T106W	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 50V 150MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 1mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SD2226KT146V	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 50V 150MA SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SD2351T106V — TRANS NPN 50V 150MA SOT-323

Схожие по характеристикам