Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

2SD2406-Y(F) — TRANS NPN 80V 4A 2-10R1A

Производитель	Toshiba
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	80V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 300mA, 3A
Ток коллектора (макс)	4A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 500mA, 5V
Мощность макcимальная	25Вт
Модуляция частот	8MHz
Тип транзистора	NPN
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	2-10R1A (TO-220 NIS)