Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PN2222AT93PN2222AT93Rohm SemiconductorTRANS SW NPN 40V .6A TO-92 TB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD2033AT114E2SD2033AT114ERohm SemiconductorTRANS NPN 160V 1.5A HRT/TO-220FP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.8W  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: HRT
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1733TLR2SD1733TLRRohm SemiconductorTRANS NPN 80V 1A SOT-428
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 10Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1424T100R2SB1424T100RRohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 20V 3A MPT3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 240MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4083T106N2SC4083T106NRohm SemiconductorTRANS NPN 11V 50MA SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 11В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 3.2GHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1275TLP2SB1275TLPRohm SemiconductorTRANS PNP 160V 1.5A SOT-428 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 10Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC847BT116BC847BT116Rohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 45V 1MA SST3 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1776TV2P2SA1776TV2PRohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 400V 0.5A ATV
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 12MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ATV
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1760TLP2SD1760TLPRohm SemiconductorTRANS DVR NPN 50V 3A SOT-428 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 15Вт  ·  Модуляция частот: 90MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1576AT106Q2SA1576AT106QRohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 50V 0.15A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 140MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC2062STPC2SC2062STPCRohm SemiconductorTRANS DARL NPN 32V 0.3A SPT TB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SC-72-3, SPT
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1757KT146Q2SD1757KT146QRohm SemiconductorTRANS NPN 15V 0.5A SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 8MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1858TV2R2SD1858TV2RRohm SemiconductorTRANSISTOR DVR NPN 32V 1A ATV TB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ATV
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1709TL2SB1709TLRohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 12V 1.5A TSMT3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 400MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1197KT146R2SB1197KT146RRohm SemiconductorTRANS PNP 32V 0.8A SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCW70T116BCW70T116Rohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 45V 100MA SST3 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3906KT146S2SC3906KT146SRohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 120V 50MA SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 140MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMST2907AT146MMST2907AT146Rohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1184TLR2SB1184TLRRohm SemiconductorTRANS PNP 50V 3A SOT-428
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 15Вт  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD2118TLQ2SD2118TLQRohm SemiconductorTRANS NPN 20V 5A SOT-428
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 10Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1036KT146P2SA1036KT146PRohm SemiconductorTRANS DVR PNP 32V 0.5A SMT3 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1181TLP2SB1181TLPRohm SemiconductorTRANS DVR PNP 80V 1A SOT-428 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 10Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5824T100Q2SC5824T100QRohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 3A SOT-89 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1864TV2Q2SD1864TV2QRohm SemiconductorTRANS DRIVER NPN 50V 3A ATV
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 90MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ATV
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UMT2907AT106UMT2907AT106Rohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 328329330331332333334 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте