Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SC5659T2LN2SC5659T2LNRohm SemiconductorTRANS NPN 25V 50MA VMT3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VMT3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD2211T100R2SD2211T100RRohm SemiconductorTRANS DVR NPN 160V 1.5A SOT89 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC848BT116BC848BT116Rohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 1MA SST3 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1047P-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 140V 12A TO-3PB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 120W  ·  Модуляция частот: 15MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
30C01SS-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 30V 0.4A SSFP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 400mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 380MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CPH3239-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 50V 5A CPH3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 40mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 330MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CPH3145-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP/NPN 50V 2A CPH3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 420MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
30A01SS-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP 30V 0.3A SSFP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 520MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1274SSANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP/NPN 60V 3A TO-220ML
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CPH3237-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 15V 6A CPH3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 60mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MCH6102-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP/NPN 30V 1.5A MCPH6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 450MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC6082SANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 50V 15A TO-220ML
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 195MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CPH3249-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 350V 1A CPH3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 20MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CPH3238-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 30V 5A CPH3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 50mA, 2.5A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 290MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MCH6202-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP/NPN 30V 1.5A MCPH6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 500MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CPH6123-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP/NPN 50V 3A CPH6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Модуляция частот: 290MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
50A02MH-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP 50V 0.5A MCPH3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 690MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1723SANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP 20V 300MA TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Модуляция частот: 1.5GHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3601ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 200V 150MA TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Модуляция частот: 400MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC6081SANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 50V 5A TO-220ML
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 125mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC6084SANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 800V 5A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 540mA, 2.7A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 3A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.75W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1913SSANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP/NPN 60V 3A TO-220ML
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CPH3148-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP 100V 2A CPH3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 260MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4271ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 20V 300MA TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Модуляция частот: 2.2GHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA2180SANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP 50V 5A TO-220ML
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 125mA, 2.5A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 125mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 130MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 330331332333334335336 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте