Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SB1274RSANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP/NPN 60V 3A TO-220ML
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1407ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP 200V 150MA TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Модуляция частот: 400MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ST13003NSTMicroelectronicsTRANS NPN 400V 1A SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 10V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STX13004G-APSTMicroelectronicsTRANS NPN 400V 2A TO-92AP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 500µA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP29CTIP29CSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 100V 1A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP3055TIP3055STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 100V 15A TO-247-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 90Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP146TIP146STMicroelectronicsTRANS PNP DARL 80V 10A TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STBV45-APSTBV45-APSTMicroelectronicsTRANS NPN FAST SW 400V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 750mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 200µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 950mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N34402N3440STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 300V 1A TO-39
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 10Вт  ·  Модуляция частот: 15MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBT2222AMMBT2222ASTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 270MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BDX33CBDX33CSTMicroelectronicsTRANSISTOR DARL TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUX48BUX48STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 4A, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA  ·  Мощность макcимальная: 175W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STF23602STF2360STMicroelectronicsTRANSISTOR PNP FAST SW SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Модуляция частот: 130MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFX34BFX34STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 120V 5A TO-39
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 870mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP110TIP110STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 60V 2A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP121TIP121STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 80V 5A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE2955TMJE2955TSTMicroelectronicsTRANSISTOR PNP 60V 10A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 75Вт  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUV48ABUV48ASTMicroelectronicsTRANS NPN 450V 15A TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.6A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N60592N6059STMicroelectronicsTRANS DARL NPN 100V 12A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE350MJE350STMicroelectronicsTRANSISTOR PNP 300V 0.5A SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 20.8W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
HD1530JLSTMicroelectronicsTRANS NPN 700V HI DEF/CRT TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.25A, 13A  ·  Ток коллектора (макс): 26A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 28 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD677ABD677ASTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 60V 4A SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
D44H11D44H11STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 80V 10A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STPSA92-APSTPSA92-APSTMicroelectronicsTRANSISTOR SS PNP TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE182MJE182STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 80V 3A SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 150mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 12.5W  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 331332333334335336337 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте