Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BDX34BBDX34BON SemiconductorTRANS DARL PNP 80V 10A TO-220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ3001MJ3001STMicroelectronicsTRANS DARL NPN 80V 10A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N4919ON SemiconductorTRANS PNP 60V BIPOLAR TO-225
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-225-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC638BC638ON SemiconductorTRANSISTOR PNP GP 60V 0.5A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC547CBC547CON SemiconductorTRANS NPN GP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCV48TADiodes/ZetexTRANS DARL PNP 60V 0.5A SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC850BLT1BC850BLT1ON SemiconductorTRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N62882N6288ON SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 7A TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 7A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJZ733YTFFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT623F
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 100mW  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-623F
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD0946B2SD0946BPanasonic - SSGTRANS NPN LF 80VCEO 1A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126B-A1
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSE800SFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 4A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD140BD140ON SemiconductorTRANS PNP 1.5A80V HPWR TO225AA
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-225-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N4403DIDiodes IncTRANSISTOR PNP 40V TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC557B,112BC557B,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC879,112BC879,112NXP SemiconductorsTRANS DARL NPN 80V 1A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC447BC447ON SemiconductorTRANSISTOR NPN 80V 300MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC2669YTAKSC2669YTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 30MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 12V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC846AWT1GON SemiconductorTRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA20570P2SA20570PPanasonic - SSGTRANS PNP PWR AMP 60V 3A TO-220D
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 375mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 90MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220D
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJL21194MJL21194ON SemiconductorTRANS PWR NPN 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC557B,126BC557B,126NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSA05Diodes IncTRANSISTOR 60V NPN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS650RLRAMPS650RLRAON SemiconductorTRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS3646GMPS3646GON SemiconductorTRANSISTOR SW NPN 15V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 350MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC338BC338Fairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 25V 800MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 333334335336337338339 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте