Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MJD117T4MJD117T4STMicroelectronicsTRANS PWR DARL SILICON D-PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8A, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUX98APWBUX98APWSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 450V 24A TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.2A, 16A  ·  Ток коллектора (макс): 24A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STF724STF724STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN MED POWER SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N2222A2N2222ASTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 75V 0.6A TO-18
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18-3, TO-206AA, Metal Case
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD682BD682STMicroelectronicsTRANSISTOR DARL PNP SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.5A, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL7216BUL7216STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 700V 3A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STBV32GSTBV32GSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N29072N2907STMicroelectronicsTRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-18
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.8W  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18-3, TO-206AA, Metal Case
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP115TIP115STMicroelectronicsTRANS PNP DARL 60V 2A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
HD1520FXSTMicroelectronicsTRANS PWR NPN 700V ISOWATT218FX
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.8A, 9A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 64Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOWATT218FX
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STC52422STC5242STMicroelectronicsTRANS NPN HP BIPO 230V TO-3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N51912N5191STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 60V 4A SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STC59492STC5949STMicroelectronicsTRANS NPN HP BIPO 250V TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 17A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 220Вт  ·  Модуляция частот: 25MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL742CBUL742CSTMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL705BUL705STMicroelectronicsTRANSISTOR FAST NPN MV TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 2A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ESM3030DVESM3030DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Ток коллектора (макс): 100A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 85A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 225W  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJD31CT4MJD31CT4STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 15Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD139BD139STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N65472N6547STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 850V 15A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 175W  ·  Модуляция частот: 24MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STL106DSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN FAST 230V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTA42MMBTA42STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 300V 0.5A SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ST13007ST13007STMicroelectronicsTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STA16952STA1695STMicroelectronicsTRANS PNP HP BIPO 140V TO-3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Модуляция частот: 20MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN2222APN2222ASTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 40V 0.6A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 270MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJD2955T4MJD2955T4STMicroelectronicsTRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 334335336337338339340 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте