Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
UML4NTRUML4NTRRohm SemiconductorTRANS PNP 30V 200MA SOT-353 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 120mW  ·  Модуляция частот: 260MHz  ·  Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UMT2222AT106UMT2222AT106Rohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UMT2907AT106UMT2907AT106Rohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UMT3904T106UMT3904T106Rohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UMT3906T106UMT3906T106Rohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6T6TRUS6T6TRRohm SemiconductorTRANS PNP BIPOLAR 30V 2A TUMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6T7TRUS6T7TRRohm SemiconductorTRANS PNP BIPOLAR 30V 1.5A TUMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6X5TRUS6X5TRRohm SemiconductorTRANS NPN BIPOLAR 12V 2A TUMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6X6TRUS6X6TRRohm SemiconductorTRANS NPN BIPOLAR 30V 1.5A TUMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UZX5T2E6TAUZX5T2E6TADiodes/ZetexTRANS PNP 20V LOW SAT SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Модуляция частот: 110MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN09D5700LXN09D5700LPanasonic - SSGTRANS PNP 15VCEO 2.5A MINI 6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN09D5800LXN09D5800LPanasonic - SSGTRANS PNP 15VCEO 2.5A MINI 6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN09D6100LXN09D6100LPanasonic - SSGTRANS PNP 15VCEO 1.5A MINI 6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 750mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 270MHz  ·  Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZBD849Diodes/ZetexTRANSISTOR NPN 30VCEO TO-126-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 20mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZBD853Diodes/ZetexTRANSISTOR NPN 100VCEO TO-126-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 130MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZBD857Diodes/ZetexTRANSISTOR NPN 300VCEO TO-126-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZBD953Diodes/ZetexTRANSISTOR PNP -100V TO-126-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZBD957Diodes/ZetexTRANSISTOR PNP -300V TO-126-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 85MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX10470ASTOAZTX10470ASTOADiodes/ZetexTRANSISTOR NPN HIGH GAIN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 10mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX10470ASTOBZTX10470ASTOBDiodes/ZetexTRANSISTOR NPN HIGH GAIN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 10mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX1047AZTX1047ADiodes/ZetexTRANSISTOR NPN 10V 4000MA TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX1047ASTOAZTX1047ASTOADiodes/ZetexTRANSISTOR NPN HIGH GAIN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX1047ASTOBZTX1047ASTOBDiodes/ZetexTRANSISTOR NPN HIGH GAIN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX1047ASTZZTX1047ASTZDiodes/ZetexTRANSISTOR NPN HIGH GAIN TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX1048AZTX1048ADiodes/ZetexTRANS NPN 17.5V 4A MED TO-92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 17.5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 334335336337338339340 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте