Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2STA21202STA2120STMicroelectronicsTRANS PNP 250V 17A BIPO TO-3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 34A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 25MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STD1802T4-ASTMicroelectronicsTRANS NPN 60V 3A FAST SW DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 15Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL3N7BUL3N7STMicroelectronicsTRANSISTOR FAST NPN MV TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 700mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N720A2N720ASTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 80V .5A TO-18
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.8W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18-3, TO-206AA, Metal Case
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N54162N5416STMicroelectronicsTRANSISTOR PNP -350V -1A TO-39
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 10Вт  ·  Модуляция частот: 15MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP50TIP50STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 500V 1A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Модуляция частот: 10MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL128BUL128STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP135TIP135STMicroelectronicsTRANSISTOR DARL COMPL TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TR236STMicroelectronicsTRANS NPN 400V 4A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 600mA, 2.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BULB742C-1STMicroelectronicsTRANSISOTR NPN 400V 4A I2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 48 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MD2009DFXSTMicroelectronicsTRANS NPN 700V CRT ISOWATT218FX
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 58W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3PF
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STW16932STW1693STMicroelectronicsTRANS PNP LV BIPO 80V TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Модуляция частот: 20MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BULK128STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN FAST HV SOT-82
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 2A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 55Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-82-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP41ATIP41ASTMicroelectronicsTRANSISTORS NPN 60V 6A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600µA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N39042N3904STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 60V 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 270MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ4035MJ4035STMicroelectronicsTRANS PWR DARL COMPL TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 40mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 10A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N37722N3772STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 60V 20A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 10 A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 200kHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STX83003STMicroelectronicsTRANS NPN 400V 1A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUY69ABUY69ASTMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3.3V @ 2.5A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2.5A, 10V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Модуляция частот: 10MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD679BD679STMicroelectronicsTRANS DARL NPN 80V SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
HD1750JLSTMicroelectronicsTRANS NPN 800V HI DEF/CRT TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A  ·  Ток коллектора (макс): 24A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP117TIP117STMicroelectronicsTRANS PNP DARL 100V 2A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL216BUL216STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 800V 4A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 90Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2STW44662STW4466STMicroelectronicsTRANS NPN HP BIPO 80V TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Модуляция частот: 20MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD680ABD680ASTMicroelectronicsTRANSISTOR DARL PNP SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 337338339340341342343 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте