Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BC307BBC307BON SemiconductorTRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC327,412BC327,412NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ST8812FPST8812FPSTMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-220FP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 7A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40.5 @ 5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 36Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP48TIP48ON SemiconductorTRANS NPN 1A 300V HI PWR TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Модуляция частот: 10MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3906ZL1G2N3906ZL1GON SemiconductorTRANS SS PNP GP 40V 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUL44BUL44ON SemiconductorTRANS NPN SW 400V 2A TO-220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 400mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Модуляция частот: 13MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KST64MTFKST64MTFFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 30V 500MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5550RLRAGON SemiconductorTRANS NPN SS GP 0.6A 140V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJF18004ON SemiconductorTRANS PWR NPN 5A 450V TO220FP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 1A, 2.5V  ·  Мощность макcимальная: 35Вт  ·  Модуляция частот: 13MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BU807BU807STMicroelectronicsTRANSISTOR DARL NPN TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP3055TIP3055ON SemiconductorTRANS NPN 15A 60V HI PWR TO218AC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 90Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-93, TO-218 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS2907ARLMPS2907ARLON SemiconductorTRANSISTOR PNP GP SS 60V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX658STOAZTX658STOADiodes/ZetexTRANSISTOR NPN MED PWR TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP42CTIP42CON SemiconductorTRANS PNP 6A 100V HI PWR TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 400µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCX19TABCX19TADiodes/ZetexTRANS MED PWR NPN 45V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCV27TABCV27TADiodes/ZetexTRANS DARL NPN 500MA 30V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC638ZL1BC638ZL1ON SemiconductorTRANSISTOR PNP GP 60V 0.5A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N60422N6042ON SemiconductorTRANS DARL PNP 8A 100V TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 75Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC373BC373ON SemiconductorTRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5401,4122N5401,412NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 150V 300MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 630mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1198ARPanasonic - SSGTRANS NPN 50VCEO 1A M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
P2N2222AZL1P2N2222AZL1ON SemiconductorTRANS SS NPN 600MA 40V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSA1156OSTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 400V 0.5A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MSB1218A-RT1ON SemiconductorTRANS PNP GP 100MA 45V SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC547BBC547BON SemiconductorTRANS NPN GP 100MA 45V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 338339340341342343344 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте