Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2N4402_S00Z2N4402_S00ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSA643CYTAKSA643CYTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 20V 500MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSD288YKSD288YFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 55V 3A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC857BBC857BSTMicroelectronicsTRANSISTOR PNP -45V -100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC368GBC368GON SemiconductorTRANSISTOR NPN 20V 1A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 65MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS3646RLRAGMPS3646RLRAGON SemiconductorTRANSISTOR SW NPN 15V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 350MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ4032MJ4032STMicroelectronicsTRANS PWR DARL COMPL TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 40mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 10A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS750MPS750ON SemiconductorTRANS PNP SS 40V HI CURRENT TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC338-25ZL1BC338-25ZL1ON SemiconductorTRANS NPN GP 25V 800MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 210MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NJL3281DON SemiconductorTRANS BIPO NPN 200W 260V TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC39742SC3974Panasonic - SSGTRANS NPN 500VCEO 7A TOP-3F
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 500В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 7A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Модуляция частот: 20MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TOP-3F
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N66682N6668STMicroelectronicsTRANS DARL PNP 80V 10A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N60522N6052ON SemiconductorTRANS DARL PNP 12A 100V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 24mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD439BD439ON SemiconductorTRANS NPN 60V 4A BIPO TO-225AA
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 36Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-225-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB0789A0LPanasonic - SSGTRANS PNP LF 120VCEO .5A MINIPWR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini 3P
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX1151AZTX1151ADiodes/ZetexTRANS PNP -40V -3000MA TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 5mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 145MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD0973AQPanasonic - SSGTRANS NPN 50VCEO 1A M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJAF6812TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 750V 12A TO-3PF
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 750V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3PF-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSB834YKSB834YFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 60V 3A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 9MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N60342N6034ON SemiconductorTRANS DARL PNP 4A 40V TO225AA
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-225-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB15920RA2SB15920RAPanasonic - SSGTRANS PNP 25VCEO 3A TO-92NL
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 25mA, 1.4A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 1.4A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92NL
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC489ABC489AON SemiconductorTRANSISTOR NPN 80V 0.5A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB06430QPanasonic - SSGTRANS PNP 25VCEO .5A M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSA64,116MPSA64,116NXP SemiconductorsTRANS NPN 30V 500MA SOT54
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1806GRL2SA1806GRLPanasonic - SSGTRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Модуляция частот: 1.5GHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 3P
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 345346347348349350351 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте