Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2N3904_D81Z2N3904_D81ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 40V 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE2955TMJE2955TON SemiconductorTRANS PWR PNP 10A 60V TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 75Вт  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS8098RLRAMPS8098RLRAON SemiconductorTRANS NPN SS GP 60V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BST51TADiodes/ZetexTRANS DARL NPN 60V 500MA SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSE13003ASFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN2369A,126PN2369A,126NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 15V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 500MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE5731AMJE5731AON SemiconductorTRANS PWR PNP 1A 375V TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 375V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Модуляция частот: 10MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5088RLRA2N5088RLRAON SemiconductorTRANS SS NPN GP 30V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSA18RLRAMPSA18RLRAON SemiconductorTRANS NPN SS 45V LN TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 160MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSA12GMPSA12GON SemiconductorTRANS NPN DARL BIPO 20V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20,000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD159ON SemiconductorTRANS NPN 350V 0.5A BIPO TO-225
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-225-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCP52TABCP52TADiodes/ZetexTRANS PNP BIPOL 60V 1A SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSD5018TUKSD5018TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 275V 4A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 275V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1774T12SA1774T1ON SemiconductorTRANS AMP PNP GP -50V SOT416
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 140MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD12440RPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 3A M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP30CTIP30CON SemiconductorTRANS PNP 1A 100V HI PWR TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMMT2907ATAFMMT2907ATADiodes/ZetexTRANS PNP -60V -600MA SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SO692SO692STMicroelectronicsTRANSISTOR PNP SS SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 310mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC817-16LT1BC817-16LT1ON SemiconductorTRANS NPN GP 500MA 45V SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSP31TABSP31TADiodes/ZetexTRANS PNP 60V 1A SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTA05LT1MMBTA05LT1ON SemiconductorTRANS DRIVER SS NPN 60V SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJL6825ATUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 750V 25A TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 750V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 12A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD06620RPanasonic - SSGTRANS NPN 200VCEO 70MA M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 70mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS6724RLRAGON SemiconductorTRANS NPN DARL BIPO 1W 40V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 1GHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE5850MJE5850ON SemiconductorTRANS PWR PNP 8A 300V TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 346347348349350351352 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте