Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MJH11022MJH11022ON SemiconductorTRANS DARL NPN 15A 250V TO218
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-93, TO-218 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS3904,126MPS3904,126NXP SemiconductorsTRANS NPN SW HS 100MA 40V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE4343MJE4343ON SemiconductorTRANS PWR NPN 16A 160V TO218
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 750µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Модуляция частот: 1MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-93, TO-218 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5087_S00Z2N5087_S00ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP145GTIP145GON SemiconductorTRANS DARL PNP 10A 60V TO-218
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-93, TO-218 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF393ZL1GBF393ZL1GON SemiconductorTRANS NPN GP 300V 500MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BDX33CBDX33CON SemiconductorTRANS DARL NPN 10A 100V TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N4403RLRMG2N4403RLRMGON SemiconductorTRANS PNP GP 40V 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBT2132T3GMMBT2132T3GON SemiconductorTRANS GP SS NPN 30V 700MA SC74-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 700mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 342mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC212_D27ZBC212_D27ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 50V 300MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N50892N5089ON SemiconductorTRANS NPN SS GP 50MA 25V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3704_D75Z2N3704_D75ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR GPA NPN 30V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD234ON SemiconductorTRANS PNP 45V 2A BIPO TO-225
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-225-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSD1691OSTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJD50T4MJD50T4STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 400V 1A DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 15Вт  ·  Модуляция частот: 10MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC557CZL1BC557CZL1ON SemiconductorTRANS AMP PNP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 320MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC869TADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP BIPOL -20V SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 60MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BU508AFTBTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN TV 700V 5A TO-3PF
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2.25 @ 4.5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3PF-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP42CNTIP42CNSTMicroelectronicsTRANSISTOR PNP 100V 6A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600µA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BUH100BUH100ON SemiconductorTRANS NPN SW 700V 10A TO-220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Модуляция частот: 23MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJE13003MJE13003ON SemiconductorTRANS PWR NPN 1.5A 400V TO225
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Модуляция частот: 10MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-225-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1463JRL2SB1463JRLPanasonic - SSGTRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini3-F1 (SC 89)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSW45AMPSW45AON SemiconductorTRANS NPN DARL SS 1W 50V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSA77RLRAGMPSA77RLRAGON SemiconductorTRANS PNP DARL 500MA 60V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC449BC449ON SemiconductorTRANSISTOR NPN 100V 300MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 347348349350351352353 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте