Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
KSC2518RKSC2518RFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 400V 4A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC618BC618ON SemiconductorTRANSISTOR DARL NPN 55V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1824-(TX)Panasonic - SSGTRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 90MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini3-G1 (SC 70)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD788ON SemiconductorTRANS PNP 60V 4A BIPOLAR TO-225
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 15Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-225-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC487GBC487GON SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 0.5A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSD288WTUKSD288WTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 55V 3A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF422RL1GON SemiconductorTRANS NPN GP SS 250V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Модуляция частот: 60MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC547ARLBC547ARLON SemiconductorTRANS NPN GP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC337-40ZL1BC337-40ZL1ON SemiconductorTRANS NPN GP 45V 800MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 210MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS3392MPS3392Fairchild SemiconductorNPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSA64GMPSA64GON SemiconductorTRANS PNP DARL SS 30V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5551,1162N5551,116NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 160V 300MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 630mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC237BBC237BFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BST15,115BST15,115NXP SemiconductorsTRANS PNP 300V 200MA SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Модуляция частот: 15MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N2221AFairchild SemiconductorNPN MED PWR GP AMP TRANSISTOR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18-3, TO-206AA, Metal Case
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCP51TABCP51TADiodes/ZetexTRANS PNP BIPOL 45V 1A SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJL21196MJL21196ON SemiconductorTRANS PWR COMP 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBT2222AKMMBT2222AKFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN GP SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCP6925TABCP6925TADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP -20V -1A SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBT3906_NLFairchild SemiconductorTRANS GP PNP AMP SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSD401OKSD401OFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 150V 2A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Модуляция частот: 5MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N6497G2N6497GON SemiconductorTRANS PWR NPN 5A 250V TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2.5A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 10V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Модуляция частот: 5MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSD5018KSD5018Fairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 275V 4A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 275V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJL6820TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 750V 20A TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 750V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 8.5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMMT4401TAFMMT4401TADiodes/ZetexTRANS SW NPN 40V 600MA SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 348349350351352353354 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте