BC373 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC373ZL1	ON Semiconductor	TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC373G	ON Semiconductor	TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC373RL1	ON Semiconductor	TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC373ZL1G	ON Semiconductor	TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC373RL1G	ON Semiconductor	TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC372	ON Semiconductor	TRANS SS DARL NPN 100V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC372G	ON Semiconductor	TRANS SS DARL NPN 100V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BC373 — TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам