BC848CWT1G | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC849CLT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC848CLT1G	ON Semiconductor	TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC848CLT1	ON Semiconductor	TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC849CLT1	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC847CWT1	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC847CWT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC848BWT1	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC848BWT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

BC848CLT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

от 0,00
от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

BC849CLT1

ON Semiconductor

TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Доп. информация
Искать в поставщиках

BC847CWT1G

ON Semiconductor

TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-323

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

BC848BWT1G

ON Semiconductor

TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-323

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 225mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BC848CWT1G — TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-323

Схожие по характеристикам