Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)
 
BC857AT-7

BC857AT-7 — TRANSISTOR -45V PNP SMD SOT-523

ПроизводительDiodes Inc
Обратите вниманиеEncapsulate Change 09 июл 2007
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)45V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Ток коллектора (макс)100mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce125 @ 2mA, 5V
Мощность макcимальная150mW
Модуляция частот100MHz
Тип транзистораPNP
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-523
Встречается под наим.BC857AT, BC857AT-ND, BC857ATCT
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BC857AT-7-FBC857AT-7-FDiodes IncTRANSISTOR PNP 45V SOT523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BC857CT-7-FDiodes IncTRANS BIPO PNP SGL 150MW SOT-523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках
BC857BT-7-FBC857BT-7-FDiodes IncTRANSISTOR PNP 45V SOT523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках
BC857BT-7BC857BT-7Diodes IncTRANSISTOR -45V PNP SMD SOT-523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «BC857AT-7» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте